キャリア密度とは半導体などの材料内の一定の体積あたりに存在する自由電子または正孔の量のことである。キャリア密度は半導体の電気的特性を決めるものの一つであり、半導体工学において非常に重要なものである。単位は m − 3 {\displaystyle m^{-3}} または c m − 3 {\displaystyle cm^{-3}} を用いる。また、記号はp型半導体では p {\displaystyle p} 、n型半導体では n {\displaystyle n} を使う。
n型半導体では基本的に正孔の量を表す。キャリア密度は以下の通り。
n型半導体では基本的に自由電子の量を表す。キャリア密度は以下の通り。