エジソン効果

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エジソン効果とは金属半導体を高温に加熱した際に電子が放出される現象である。1883年トーマス・エジソンが電球の研究中にフィラメントを金属箔で覆った際に電子が移動したのを観測したことが由来する。この時はエジソンは発見にとどまったが、1900年にイギリスの物理学者のオーエン・リチャードソンが理論的に示した。そのため、リチャードソン効果とも呼ばれる。これがもととなって、1904年ジョン・フレミングによる二極真空管の発明につながった。熱電子放出熱電子効果ともいう。

関連項目[編集]